フラッシュメモリ
出典: 平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21 (IPA)
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
- ア 高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリに用いられる。
- イ 紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
- エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
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正解: エ
- ア: 高速に書き換えられてキャッシュメモリに使われるのは SRAM です。
- イ: 紫外線で全内容を消去するのは UV-EPROM です。
- ウ: 周期的にデータの再書込み (リフレッシュ) が必要なのは DRAM です。
- エ: ブロック単位で電気的に内容を消去できるのがフラッシュメモリなので正しい記述です。
ポイント
- フラッシュメモリ: 電源を切っても内容が消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位で電気的に消去 して書き換えます。SSD や USB メモリ、SD カードに使われています。
- 紫外線で消去するのは UV-EPROM、周期的な再書込み (リフレッシュ) が必要なのは DRAM、キャッシュメモリに使うのは SRAM です。