ウェアレベリング
出典: 令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11 (IPA)
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。
- ア 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
- イ 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
- ウ 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- エ ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
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正解: ア
- ア: 書込み回数を均等にするように物理的な書込み位置を選ぶのがウェアレベリングです。正しい答えです。
- イ: 1 つのセルに複数のビットを記録するのは、MLC (マルチレベルセル) などの多値記録です。
- ウ: 不良ブロックを別のブロックに置き換えるのは、不良ブロック管理 (代替処理) です。
- エ: ブロック単位で消去してから書き込むのは、フラッシュメモリの基本的な書込み方法の説明です。
ポイント
- フラッシュメモリは、ブロックごとに 書換え回数に上限 があります。
- ウェアレベリング は、書込みが特定のブロックに集中しないように、各ブロックの書込み回数が均等になるように 書込み位置を選ぶ技術です。これで寿命を延ばします。