相変化メモリ
出典: 平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10 (IPA)
相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。
- ア 一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
- イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
- ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
- エ リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
正解と解説を見る
正解: イ
- ア: 一度だけ書き込めるのは、PROM (ワンタイム PROM) です。
- イ: 結晶状態と非結晶状態の違いを使って情報を記憶する不揮発性メモリが相変化メモリなので正しい答えです。
- ウ: フリップフロップで構成された揮発性メモリは、SRAM です。
- エ: リフレッシュが必要な揮発性メモリは、DRAM です。
ポイント
- 相変化メモリ (PCM，PRAM): 物質の 結晶状態 (電気抵抗が低い) と 非結晶 (アモルファス) 状態 (抵抗が高い) を、熱で切り替えて情報を記憶する不揮発性メモリです。
- 書換え型の光ディスク (DVD-RW など) も、同じ相変化の仕組みを使っています。